Характарыстычныя крывыя калектара транзістараў

Выкарыстоўваючы такую ​​схему, як паказана на малюнку (а), можна сфармаваць набор характэрных крывых калектара, якія паказваюць, як ток калектара, IC, змяняецца ў залежнасці ад напружання калектар-эмітар VCE для зададзеных значэнняў базавага току, IB . Звярніце ўвагу на дыяграму, што і VBB, і VCC з'яўляюцца зменнымі крыніцамі напружання. Выкажам здагадку, што VBB настроены на стварэнне пэўнага значэння IB, а VCC роўны нулю. Для гэтай умовы і пераход база-эмітар, і пераход база-калектар маюць зрушэнне наперад, таму што база знаходзіцца прыкладна на 0.7 У, а эмітар і калектар-на 0 В. Базавы ток праходзіць праз пераход база-эмітар. нізкага супраціву шляху да зямлі і, такім чынам, IC роўны нулю. Калі абодва злучэння накіраваны наперад, транзістар знаходзіцца ў зоне насычэння сваёй працы. Насычэнне - гэта стан BJT, у якім ток калектара дасягнуў максімуму і не залежыць ад току базы. Пры павелічэнні VCC VCE павялічваецца пры павелічэнні току калектара. На гэта паказвае частка характэрнай крывой паміж кропкамі А і В на малюнку (б). IC павялічваецца пры павелічэнні VCC, таму што VCE застаецца менш за 0.7 В з-за перасячэння базава-калектарнага пераходу. У ідэале, калі VCE перавышае 0.7 В, пераход база-калектар становіцца зваротным і зрушае транзістар у актыўную або лінейную вобласць сваёй працы. Пасля таго, як злучэнне база-калектар мае зваротны ўхіл, IC выраўноўваецца і застаецца па сутнасці пастаянным для зададзенага значэння IB, калі VCE працягвае павялічвацца. На самай справе, IC павялічваецца вельмі нязначна пры павелічэнні VCE з-за пашырэння вобласці знясілення базавага калектара. Гэта прыводзіць да меншага колькасці адтулін для рэкамбінацыі ў базавай вобласці, што эфектыўна выклікае невялікае павелічэнне βDC. Гэта паказана часткай характэрнай крывой паміж кропкамі B і C на малюнку (b). Для гэтай часткі характэрнай крывой значэнне IC вызначаецца толькі суадносінамі, выяўленымі як IC = βDCIB. Калі VCE дасягае дастаткова высокага напружання, пераход база-калектар са зваротным зрушэннем пераходзіць у паломку; і ток калектара хутка павялічваецца, як паказана часткай крывой справа ад кропкі С на малюнку (б). У гэтай зоне паломкі ніколі не павінен працаваць транзістар. Сямейства калекцыйных характэрных крывых ствараецца, калі IC супраць VCE адкладаецца для некалькіх значэнняў IB, як паказана на малюнку (с). Калі IB = 0, транзістар знаходзіцца ў вобласці адсечкі, хоць ёсць вельмі малы ток уцечкі калектара, як паказана. Зрэз - гэта неправадніковы стан транзістара. Для ілюстрацыі велічыня току ўцечкі калектара для IB = 0 перабольшана на графіцы. Падзяліцеся з сябрамі Facebook Twitter LinkedIn Pinterest Электронная пошта WhatsApp

Пакінь паведамленне 

спіс паведамленняў