FMUSER Першапачаткова новая BLF178XR магутнасць RF Transistor магутнасць MOSFET транзістара LDMOS 1400W HF-128MHz-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Пастаўшчык

FMUSER Арыгінальны новы сілавы транзістар BLF178XR, сілавы транзістар MOSFET, транзістар LDMOS 1400 Вт, ВЧ-128 МГц Агляд BLF178XR, надзвычай трывалы сілавы транзістар LDMOS магутнасцю 1400 Вт для вяшчання і прамысловага прымянення ў дыяпазоне ВЧ да 128 МГц. Асаблівасці * Простае кіраванне магутнасцю * Убудаваная ESD-абарона * Выдатная трываласць * Высокая эфектыўнасць * Цудоўная цеплавая стабільнасць * Прызначана для шырокапалоснага рэжыму (ВЧ да 128 МГц) * Сумяшчальна з Дырэктывай 2002/95 / EC, датычна абмежавання небяспечных рэчываў Прадукты, транзістары - транзістары, транзістары MOSFET - РФ. Упакоўка: Статус часткі латка: Ac

дэталь

Папярэдняя:FMUSER Першапачаткова новая MRF6VP2600H RF Магутнасць транзістар MOSFET транзістара 500MHz 600W Бакавое N-канальны Broadband

далей:FMUSER Першапачаткова новая BLF184XR магутнасць RF Transistor магутнасць MOSFET транзістара LDMOS 700W HF-600MHz

Кошт (USD)	Кол-у (PCS)	Дастаўка (USD)	Усяго (USD)	спосаб дастаўкі	аплата
209	1	35	244	DHL
				DHL

FMUSER Першапачаткова новая BLF178XR магутнасць RF Transistor магутнасць MOSFET транзістара LDMOS 1400W HF-128MHz

агляд

BLF178XR, надзвычай трывалы сілавы транзістар LDMOS магутнасцю 1400 Вт для трансляцыі і прамысловага прымянення ў дыяпазоне ВЧ да 128 МГц.

Асаблівасці

* Простае кіраванне магутнасцю

* Убудаваная абарона ад ESD

* Выдатная трываласць

* Высокая эфектыўнасць

* Выдатная тэрмаўстойлівасць

* Прызначаны для шырокапалоснай сувязі (ВЧ да 128 МГц)

* Адпаведна дырэктыве 2002/95 / EC, датычнай абмежавання небяспечных рэчываў

Апісанне
Катэгорыі: Дыскрэтныя паўправаднікі, транзістары - палявыя транзістары, палявыя транзістары - RF
Ўпакоўка: Tray
Частка Статус: Актыўны
Транзістар Тып: LDMOS (Dual), Common Source
Частата: 128MHz
Ўзмацненне: 28dB
Напружанне - Тэст: 50V
Ток - Тэст: 40mA
Магутнасць - Выхад: 1400W
Напружанне - Ацэнка: 110V